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參數(shù)資料
型號(hào): NP52N06SLG-E1-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 52A T0-252
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 52A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫歐 @ 26A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 10V
功率 - 最大: 1.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252(MP-3ZK)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NP52N06SLG-E1-AYDKR
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