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參數(shù)資料
型號: NP55N03SUG-E1-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 55A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 毫歐 @ 28A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 25V
功率 - 最大: 1.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252(MP-3ZK)
包裝: 帶卷 (TR)
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