| 型號(hào)： | NP55N055SDG-E1-AY |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 55A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫歐 @ 28A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |