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參數(shù)資料
型號(hào): NP80N03KDE-E1-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁(yè)數(shù): 4/12頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫歐 @ 40A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 72nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 帶卷 (TR)
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