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參數資料
型號: NP80N055MDG-S18-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 9/12頁
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描述: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
標準包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.9 毫歐 @ 40A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220
包裝: 管件
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