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參數(shù)資料
型號(hào): NP82N04MUG-S18-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁(yè)數(shù): 8/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 900
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 82A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫歐 @ 41A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9750pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220-3
包裝: 管件
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