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參數資料
型號: NP82N055PUG-E1-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 82A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.2 毫歐 @ 41A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9600pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263
包裝: 標準包裝
其它名稱: NP82N055PUG-E1-AYDKR
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