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參數資料
型號: NP82N06NLG-S18-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 8/12頁
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描述: MOSFET N-CH 60V 82A TO-262
標準包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 82A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.4 毫歐 @ 41A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 8550pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝: TO-262
包裝: 管件
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