| 型號： | NP83P06PDG-E1-AY |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V 83A TO-263 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 83A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫歐 @ 41.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 10100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-263 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | NP83P06PDG-E1-AYDKR |