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參數(shù)資料
型號(hào): NTB13N10T4G
廠(chǎng)商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 13/Apr/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 13A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫歐 @ 6.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V
功率 - 最大: 64.7W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱(chēng): NTB13N10T4GOS
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