| 型號(hào)： |
NTD2955T4G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
1/8頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET DPAK Pkg
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
12A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
180 毫歐 @ 6A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
30nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
750pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
55W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
DPAK-3
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1558 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
NTD2955T4GOSDKR
|