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參數(shù)資料
型號(hào): NTD3055L104T4G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET DPAK Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 104 毫歐 @ 6A,5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DPAK-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: NTD3055L104T4GOSDKR
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