| 型號： | NTD3808N-1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
| 產品變化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 標準包裝： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 16V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 12A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1660pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應商設備封裝： | I-Pak |
| 包裝： | 管件 |