| 型號(hào)： | NTD4809NT4G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫歐 @ 30A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | D-Pak |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | NTD4809NT4GOSDKR |