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參數(shù)資料
型號(hào): NTGS1135PT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 850mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 6V
功率 - 最大: 970mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-74,SOT-457
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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