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參數(shù)資料
型號(hào): NTHD2102PT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 6/6頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 24/Jan/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 58 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 715pF @ 6.4V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: ChipFET?
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: NTHD2102PT1GOSCT
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