| 型號： | NTJD1155LT1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| 產品目錄繪圖： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 標準包裝： | 10 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 8V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫歐 @ 1.2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝： | SOT-363 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | NTJD1155LT1GOSDKR |