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參數(shù)資料
型號: NTJD2152PT2
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 775mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 570mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 225pF @ 8V
功率 - 最大: 270mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-363
包裝: 帶卷 (TR)
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