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參數資料
型號: NTJD4152PT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
產品目錄繪圖: MOSFET SOT-363 Pkg
標準包裝: 10
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 880mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫歐 @ 880mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 155pF @ 20V
功率 - 最大: 272mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: SOT-363
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: NTJD4152PT1GOSDKR
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