| 型號： | NTJS3151PT1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫歐 @ 3.3A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 400mV @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-363 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | NTJS3151PT1GOSDKR |