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參數(shù)資料
型號: NTLJD2104PTBG
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 01/Jul/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 3A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 467pF @ 6V
功率 - 最大: 700mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-WDFN(2x2)
包裝: 帶卷 (TR)
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