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參數(shù)資料
型號(hào): NTLJD3119CTBG
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: µCool™
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.6A,2.3A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫歐 @ 3.8A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 271pF @ 10V
功率 - 最大: 710mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-WDFN(2x2)
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: NTLJD3119CTBGOSCT
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