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參數(shù)資料
型號(hào): NTLJD3181PZTBG
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 2A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 450pF @ 10V
功率 - 最大: 710mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-WDFN(2x2)
包裝: 帶卷 (TR)
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