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參數(shù)資料
型號: NTLJS1102PTBG
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 14/Apr/2010
標準包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫歐 @ 6.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 720mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 4V
功率 - 最大: 700mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 6-WDFN(2x2)
包裝: 帶卷 (TR)
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