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參數資料
型號: NTLUD3A260PZTBG
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 6/6頁
文件大小: 0K
描述: POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6
標準包裝: 3,000
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫歐 @ 2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-UFDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 6-UDFN(1.6x1.6)
包裝: 帶卷 (TR)
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