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參數(shù)資料
型號: NTMD2P01R2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
產(chǎn)品變化通告: Wire Change 20/Aug/2008
Product Obsolescence 07/Jul/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 16V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 2.4A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 16V
功率 - 最大: 710mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: NTMD2P01R2GOS
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