| 型號： | NTMD6N02R2G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| 產品變化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 3.92A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫歐 @ 6A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | NTMD6N02R2GOSDKR |