| 型號(hào)： |
NTMD6N03R2G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Wire Change 20/Aug/2008
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
32 毫歐 @ 6A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
30nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
950pF @ 24V
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| 功率 - 最大： |
2W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-SOICN
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
NTMD6N03R2GOSDKR
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