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參數(shù)資料
型號: NTMFS4852NT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 7/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 16A SO8 FL
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫歐 @ 30A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 71.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4970pF @ 12V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TDFN 裸露焊盤(5 引線)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-DFN,8-SO 扁平引線(5x6)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NTMFS4852NT1GOSDKR
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