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參數資料
型號: NTMS10P02R2
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
產品變化通告: Product Obsolescence 11/Feb/2009
標準包裝: 10
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫歐 @ 10A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3640pF @ 16V
功率 - 最大: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: NTMS10P02R2OSCT
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