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參數(shù)資料
型號: NTMS4177PR2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
產(chǎn)品變化通告: Wire Change 12/May/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 11.4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 24V
功率 - 最大: 840mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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