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參數資料
型號: NTMS4N01R2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
產品變化通告: Wire Change 20/Aug/2008
Product Obsolescence 21/Jan/2010
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3.3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫歐 @ 4.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V
功率 - 最大: 770mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: NTMS4N01R2GOS
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