| 型號： | NTMSD6N303R2G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 產(chǎn)品變化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫歐 @ 6A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | NTMSD6N303R2GOS |