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參數(shù)資料
型號(hào): NTQD6866R2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
產(chǎn)品變化通告: Product Discontinuation 03/Apr/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 4,000
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫歐 @ 6.9A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 16V
功率 - 最大: 940mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: NTQD6866R2GOS
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