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參數資料
型號: NTR2101PT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
產品變化通告: Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
產品目錄繪圖: MOSFET SOT-23-3 Pkg
標準包裝: 10
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫歐 @ 3.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1173pF @ 4V
功率 - 最大: 960mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: SOT-23-3(TO-236)
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: NTR2101PT1GOSDKR
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