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參數資料
型號: NVD5807NT4G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 6/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.7 毫歐 @ 48A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
功率 - 最大: 4.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: D-Pak
包裝: 帶卷 (TR)
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