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參數資料
型號: NVR1P02T1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 4/5頁
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描述: MOSFET N-CH 20V 1A SOT-23-3
標準包裝: 6,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫歐 @ 1.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 165pF @ 5V
功率 - 最大: 400mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: SOT-23-3
包裝: 帶卷 (TR)
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