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OP563/ABD,029

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功能描述
MOSFET OP563/UNCASED/PUTA//
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

OP563/ABD,029 技術參數

OP560C 功能描述:PHOTODARLINGTON NPN 935NM SIDELK 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:9.8mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:56° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:50 OP560A 功能描述:PHOTODARL SILICON NPN SIDE LOOK 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:9.8mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:56° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:50 OP555B 功能描述:PHOTOTRNS NPN PLASTIC SIDE LOOK 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4.7mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:56° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:100 OP555A 功能描述:PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4.7mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:56° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:100 OP550C 功能描述:PHOTOTRNSISTR NPN 935NM SIDELOOK 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2.4mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:- 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 OP580DA OP585011 OP58509 OP593A OP593B OP593C OP598A OP598B OP598C OP599A OP599B OP599C OP599D OP-5LM3-0455 OP-5LN1-0451 OP-5LN1-0499 OP-5LN2-0445 OP-5LW4-0456