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參數資料
| 型號： | OP505W |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | OP505W |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP506A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506C | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506D | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP509A | NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶體管，集電極最小電流5.7mA) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP506A | 功能描述:光電晶體管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506B | 功能描述:光電晶體管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506D | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP506W | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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