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參數資料
| 型號： | OP538F |
| 廠商： | Optek Technology |
| 英文描述： | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| 中文描述： | NPN硅PHOTODARLINGTON |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | OP538F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP538FA | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| OP538FB | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| OP538FC | IND 10UH 20% 13X9.5X5.2 |
| OP550A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP550B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP538F-001 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述: |
| OP538FA | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP538FB | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP538FC | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP540/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP540/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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