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參數資料
| 型號： | OP560C |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Photodarlington |
| 中文描述： | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 336K |
| 代理商： | OP560C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP580 | Silicon Phototransistor in SMT Plastic Package |
| OP600A | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600B | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600C | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600 | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP563/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP563/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| OP564,005 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| OP565 | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| OP565,005 | 功能描述:MOSFET OP565/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| OP565A | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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