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參數資料
| 型號： | OP600B |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流0.60mA) |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | OP600B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP600C | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管，窄接收角，集電極最小電流0.30mA) |
| OP601 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
| OP602TX | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP602V | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP603TX | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP600C | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP601 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
| OP602 | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP602TX | 功能描述:光電晶體管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP602TXV | 功能描述:光電晶體管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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