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參數資料
| 型號： | OP910W |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | PIN Silicon Photodiode |
| 中文描述： | PIN PHOTO DIODE |
| 封裝： | HERMETIC, TO-46, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 404K |
| 代理商： | OP910W |
Fea ures
Wide receiving angle
Fast switching time
Linear response vs. irradiance
Enhanced temperature range
De scrip ion
The OP910W consists of a PIN silicon
photodiode mounted in a two-leaded
hermetic TO-46 package. The flat lens
has an acceptance half angle of
±
40
o
.
Ab so ute Maxi mum Rat ngs
(T
A
= 25
o
C un ess oth er wise noted)
Re verse Volt age . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
Stor age Tem pera ure Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65
o
C to +150
o
C
Op er at ng Tem pera ure Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65
o
C to +125
o
C
Lead Sol der ng Tem pera ure [1/16 inch (1.6mm) from case for 5 sec with sol der ng
iron] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
o
C
(1)
Power Diss pa ion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250 mW
Notes:
(1) RMA Flux is rec om mended. Du a ion can be ex ended to 10 sec max. when flow
sol der ng.
(2) Light source is an un il ered GaAs LED with a peak wave ength of 935 nm and a ra dio met ic
in en sity level which var es less than 10% over the en ire lens sur ace of the pho o di ode
be ng tested.
(3) Junc ion tem pera ure main ained at 25
o
C.
(4) To cal cu ate typi cal dark cur ent in nA, use the for mula I
D
=10
(0.42 TA-1.5)
where T
A
is
am bi ent tem pera ure in
C.
(5) Der ate line arly 2.5 mW/
o
C above 25
o
C.
Typi cal Per orm ance Curves
Prod uct Bul e in OP910W
December 1998
PIN Sili con Photodiode
Type OP910W
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972) 323- 2200 Fax (972) 323- 2396
21
Di men sions are in inches (mil i me ers).
Wave ength - nm
Typi cal Spec ral Re sponse
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP910 | PIN SILICON PHOTODIODE |
| OPA1202 | Solid State Switches |
| OPA1205 | Solid State Switches |
| OPA1205D | PHOTOINTERRUPTR REFL 3.5MM 800NM |
| OPA1205-X | Solid State Switches |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP913SL | 功能描述:光電二極管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| OP913WSL | 功能描述:光電二極管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| OP915 | 功能描述:光電二極管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| OP916 | 功能描述:光電二極管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| OP950 | 功能描述:光電二極管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
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