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參數資料
| 型號： | OP97FS-REEL7 |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | Low-Power, High-Precision Operational Amplifier |
| 中文描述： | OP-AMP, 200 uV OFFSET-MAX, 0.9 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| 封裝： | MS-012AA, SOIC-8 |
| 文件頁數： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 363K |
| 代理商： | OP97FS-REEL7 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP97FZ | LOW POWER, HIGH PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER |
| OP97AJ | LOW POWER, HIGH PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER |
| OP-97 | LOW POWER, HIGH PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER |
| OP97FJ | LOW POWER, HIGH PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER |
| OP97AZ | LOW POWER, HIGH PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP97FSZ | 功能描述:IC OPAMP GP LP PREC 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 產品培訓模塊:Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications 標準包裝:1 系列:- 放大器類型:RF/IF 差分 電路數:1 輸出類型:差分 轉換速率:9800 V/µs 增益帶寬積:- -3db帶寬:2.9GHz 電流 - 輸入偏壓:3µA 電壓 - 輸入偏移:- 電流 - 電源:40mA 電流 - 輸出 / 通道:- 電壓 - 電源，單路/雙路(±):3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-VQFN 裸露焊盤，CSP 供應商設備封裝:16-LFCSP-VQ 包裝:剪切帶 (CT) 產品目錄頁面:551 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:ADL5561ACPZ-R7CT |
| OP97FSZ-REEL | 功能描述:IC OPAMP GP LP PREC 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 放大器類型:通用 電路數:1 輸出類型:滿擺幅 轉換速率:0.11 V/µs 增益帶寬積:350kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:4nA 電壓 - 輸入偏移:20µV 電流 - 電源:260µA 電流 - 輸出 / 通道:20mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SO 包裝:帶卷 (TR) |
| OP97FSZ-REEL7 | 功能描述:IC OPAMP GP LP PREC 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 放大器類型:通用 電路數:1 輸出類型:滿擺幅 轉換速率:0.11 V/µs 增益帶寬積:350kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:4nA 電壓 - 輸入偏移:20µV 電流 - 電源:260µA 電流 - 輸出 / 通道:20mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SO 包裝:帶卷 (TR) |
| OP97FZ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:LOW-POWER, LOW BIAS CURRE - Bulk |
| OP980 | 功能描述:光電二極管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
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