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參數資料
| 型號： | OPB806 |
| 廠商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 描述： | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| 標準包裝： | 1 |
| 檢測距離： | 0.125" (3.18mm) |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： | 30V |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 散裝 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
OPTEK Technology Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 03/2012
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OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Slotted Optical Switch
OPB806
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.67 mW/癈 above 25 ?C..
(3) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and
ketones.
(4) All parameters were tested using pulse technique.
Electrical Characteristics (T
A
= 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (See OP165 for additional information)
V
F
Forward Voltage
- - 1.7 V I
F
= 20 mA
I
R
Reverse Current
- - 100 礎 V
R
= 2 V
Output Phototransistor (See OP505 for additional information)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30 - - V I
C
= 100 礎
V
(BR)ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage 5 - - V I
E
= 100 礎
I
CEO
Collector-Emitter Dark Current
- - 100 nA V
CE
= 10 V, I
F
= 0, E
E
= 0
Combined
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage - - 0.5 V I
C
= 200 礎, I
F
= 20 mA
I
C(ON)
On-State Collector Current
0.4 - - mA V
CE
= 0.5 V, I
F
= 20 mA
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage & Operating Temperature Range
-40?C to +85?C
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from the case for 5 sec. with soldering iron]
(1)
260?C
Input Diode
Continuous Forward Current
50 mA
Peak Forward Current (1 約 pulse width, 300 pps)
3 A
Reverse Voltage
2 V
Power Dissipation
(2)
100 mW
Output Phototransistor
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
(2)
100 mW
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB815W | SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT |
| OPB821S5Z | SENS OPTO SLOT 2.03MM TRANS C-MT |
| OPB821TXV | SENS OPTO SLOT 2.03MM TRANS C-MT |
| OPB825B | SENS OPTO SLOT 4.06MM TRANS THRU |
| OPB826SD | SENS OPTO SLOT 2.29MM 2 NPN THRU |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OPB806_05 | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:Slotted Optical Switch |
| OPB810L | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:WIDE GAP SLOTTED OPTICAL SWITCHES |
| OPB810L51 | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） .375" WIDE GAP 890NM RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB810L55 | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Wd Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB810W | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:WIDE GAP SLOTTED OPTICAL SWITCHES |
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