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參數資料
| 型號： | OPB826SD |
| 廠商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 描述： | SENS OPTO SLOT 2.29MM 2 NPN THRU |
| 標準包裝： | 1 |
| 檢測距離： | 0.090"（2.29mm） |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 2 NPN |
| 電流 - DC 正向(If)： | 40mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 30mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： | 30V |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 散裝 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
OPTEK Technology Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 9/2010
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OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Dual Channel Encoder
OPB822S, OPB822SD
OPB826S, OPB826SD
Electrical Characteristics (OPB822, OPB826) (T
A
= 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (see OP14O for OPB822 or OP266 for OPB826 for additional information)
V
F
Forward Voltage
- - 1.7 V I
F
= 20 mA
I
R
Reverse Current
- - 100 礎 V
R
= 2 V
Output Phototransistor (see OP550 for OPB822 or OP506 for OPB826 for additional information)
V
(BR)(CEO)
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30 - - V I
C
= 1 mA
V
(BR)(ECO)
Emitter-Collector Breakdown Voltage 5 - - V I
E
= 100 礎
I
CEO
Collector-Emitter Leakage Current
- - 100 nA V
CE
= 10 V, I
F
= 0, E
E
= 0
Coupled
I
C(ON)
On-State Collector Current
OPB822S
OPB822SD
OPB826S
OPB826SD
250
100
250
100
-
-
-
-
-
-
-
-
礎
礎
礎
礎
V
CE
= 5 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage
OPB822S
OPB822SD
OPB826S
OPB826SD
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
0.4
0.4
0.4
V
V
V
V
I
C
= 125 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 50 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 125 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 50 礎, I
F
= 20 mA
I
CX1
Crosstalk
OPB822D, OPB822SD
OPB826S
OPB826SD
-
-
-
-
-
-
250
20
10
礎 I
F1
= 0 mA, I
F2
= 20 mA, V
CE
= 10 V
Notes:
(1) All parameters tested using pulse techniques.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB829B | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| OPB830W51 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| OPB845B | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| OPB848TXV | SENS OPTO SLOT 2.54MM TRANS THRU |
| OPB850-1 | SENS OPTO SLOT TRAN W/RES SNAPIN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OPB826SD | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:OPTICAL SENSOR (SWITCH) TRANSMISSIVE / S |
| OPB827_06 | 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:SLOTTED OPTICAL SWITCHES |
| OPB827A | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB827B | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB827C | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
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