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參數(shù)資料
| 型號： | OPB829B |
| 廠商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 描述： | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| 標準包裝： | 1 |
| 檢測距離： | 0.125" (3.18mm) |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 30mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 30V |
| 安裝類型： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼： | 模塊，預接線 |
| 包裝： | 散裝 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 80°C |
OPTEK Technology Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 01/2012
Page 3 of 5
Slotted Optical Switch
OPB827, OPB828, OPB829Z Series
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Electrical Characteristics (T
A
= 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (See OP240 for additional informationfor reference only)
V
F
Forward Voltage
- - 1.7 V I
F
= 20 mA
I
R
Reverse Current
- - 100 礎 V
R
= 2 V
Output Transistor (See OP550 for additional informationfor reference only)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30 - - V I
C
= 1 mA
V
(BR)ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage 5 - - V I
E
= 100 礎
I
CEO
Collector-Emitter Dark Current
- - 100 nA V
CE
= 10 V, I
F
= 0, E
E
= 0
Coupled
V
CE(SAT)
Saturation Voltage
- - 0.6 V I
C
= 1800 礎, I
F
= 20 mA
I
C(ON)
On-State Collector Current
1800 - - 礎 V
CE
= 0.6 V, I
F
= 20 mA
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage and Operating Temperature
OPB827, OPB828
OPB829Z
-40?C to +85?C
-40?C to +80?C
Lead Soldering Temperature (1/16 inch [1.6 mm] from case for 5 seconds with soldering iron)
(1)
260?C
Input Diode
Forward DC Current
50 mA
Peak Forward Current (1祍 pulse width, 300 pps)
3 A
Reverse DC Voltage
2 V
Power Dissipation
(2)
100 mW
Output Phototransistor
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
(2)
100 mW
Collector DC Current
30 mA
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.82 mW/?C above 25?C.
(3) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and ketones.
(4) All parameters were tested using pulse technique.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB830W51 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| OPB845B | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| OPB848TXV | SENS OPTO SLOT 2.54MM TRANS THRU |
| OPB850-1 | SENS OPTO SLOT TRAN W/RES SNAPIN |
| OPB853A3 | SENSR OPTO SLOT 3.18MM DARL THRU |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OPB829BZ | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB829C | 功能描述:SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| OPB829CZ | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Output Phototranstr Input Diode RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB829D | 功能描述:SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| OPB829DZ | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
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