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參數資料
型號: OPB855
廠商: TT Electronics/Optek Technology
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 199K
描述: SENS OPTO SLOT 5.21MM TRANS THRU
產品培訓模塊: Slotted Switches
標準包裝: 1
檢測距離: 0.205" (5.21mm)
檢測方法: 可傳導的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 30mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): 30V
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 散裝
類型: 無放大
工作溫度: -40°C ~ 85°C
產品目錄頁面: 2788 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 365-1105
OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747    FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A .2 3/09
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OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Slotted Optical Switch
OPB855
 
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage & Operating Temperature Range
-40癈 to +85?C
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from the case for 5 sec. with soldering iron]
(1)
 
260?C
Input Diode (See OP140 for additional information)
Forward DC Current
50 mA
Peak Forward Current (1 約 pulse width, 300 pps)
1 A
Reverse DC Voltage
2 V
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Output Phototransistor (See OP550 for additional information)
Collector DC Current
 
30 mA
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.67 mW/癈 above 25 ?C.
(3) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and
ketones.
(4) All parameters tested using pulse technique.
Electrical Characteristics (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
    Forward Voltage
-   1.30   1.80    V   I
F
 = 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎   V
R
 = 2 V
Output Phototransistor
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30    -     -     V   I
C
 = 1 mA
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage    5    -     -     V   I
E
 = 100 礎
I
CEO
   Collector-Emitter Dark Current
-    -    100    nA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 0, E
E
 = 0
Combined
V
CE(SAT)
  Collector-Emitter Saturation Voltage     -    -    0.4    V   I
C
 = 400 礎, I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
   On-State Collector Current
1.50   -    20.0   mA   V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA
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PDF描述
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