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參數資料
| 型號： | OPB871L51TX |
| 英文描述： | Photo Gap Detector |
| 中文描述： | 照片間隙探測器 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | OPB871L51TX |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB871N51TV | 256K, 32K X 8, 2.5V SER EE, -40C to +85C, 8-SOIC 208mil, TUBE |
| OPB871N51TX | 256K, 32K X 8, 2.5V SER EE, -40C to +85C, 8-SOIC 150mil, TUBE |
| OPB871P51TV | 256K, 32K X 8, 2.5V SER EE, -40C to +85C, 8-SOIC 150mil, TUBE |
| OPB871P51TX | 256K, 32K X 8, 2.5V SER EE, -40C to +85C, 8-TSSOP, TUBE |
| OPB871T51TV | 256K, 32K X 8, 2.5V SER EE, -40C to +85C, 8-TSSOP, TUBE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OPB871L51TXV | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Optical Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB871L55 | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB871L55TX | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Optical Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB871L55TXV | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Optical Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB871N51 | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
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