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PBLS2003S,115

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PBLS2003S,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
60563
NXP USA Inc.
8-SOIC (0.154", 3.90
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

PBLS2003S,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
8-SO
18+
-
TRANS NPN PREBIAS/PN...

PBLS2003S,115
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3555
PHILIPS
ROHS
201320+
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

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您是不是要找： PBLS2004D,115 PBLS2021D,115 PBLS2022D,115 PBLS2023D,115 PBLS2024D,115 PBLS4001D,115 PBLS4001V,115 PBLS4001Y,115 PBLS4002D,115

PBLS2003S,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PBLS2003S,115 PDF下載

功能描述
開關晶體管 - 偏壓電阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶體管極性
NPN/PNP
典型輸入電阻器
典型電阻器比率
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
直流集電極/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作頻率
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續電流
150 mA
峰值直流集電極電流
功率耗散
200 mW
最大工作溫度
封裝
Reel

PBLS2003S,115 技術參數

PBLS2003D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 220 @ 500mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2003 標準包裝:1 PBLS2002S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS2002D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V / 220 @ 500mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2002 標準包裝:1 PBLS2001S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:2.2k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS2001D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 220 @ 500mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2001 標準包裝:1 PBLS4002V,115 PBLS4002Y,115 PBLS4003D,115 PBLS4003V,115 PBLS4003Y,115 PBLS4004D,115 PBLS4004V,115 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115 PBLS6002D,115 PBLS6003D,115 PBLS6004D,115 PBLS6005D,115 PBLS6021D,115 PBLS6022D,115